如何能在制作器件工艺过程中达到极限尺寸?

如果想达到比光刻机极限尺寸更小的尺寸，有一些比较巧妙的方法

　　一种，光刻胶刻蚀法。用正胶光刻，光刻胶涂厚点，比如光刻出1.5微米的线条，然后用去胶机(氧等离子体)刻光刻胶，然后光刻图形会缩小，如果吃掉0.5微米的光刻胶，那么就可以做出0.5微米的线条了。

　　二种，侧墙(spacer)的方法。就是用光刻台阶-保形淀积-刻蚀 形成spacer，一般来说可以做到一二百纳米的线条。

　　三种，氧化的方法。如果是做Si基的器件，可以先刻蚀出线条，再用热氧化-腐蚀氧化层的方法进一步减小线条尺寸。

　　这三种方法是研究中比较常见的办法，比较巧妙，但是工艺略微复杂，耗费的精力比较多，器件的稳定性和一致性会有所损失。如果要做更小的尺寸，可以考虑用电子束光刻机，这个比较快出结果，但是花费多一些，光刻面积的效率比较低。

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